温度传感器的铂薄膜制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种铂温度传感器的铂薄膜制造方法，它采用高频溅射或磁控溅射，以铂为靶，在氩氧气氛中向抛光陶瓷基片上溅射。溅射沉积的铂膜在空气中以1-5℃/分速度升温或随炉升温，每隔50-100℃保温1小时，直至1000-1200℃保温5-15小时。用本方法制备的铂薄膜做成的温度传感器，其电阻温度系数(TCR)达到(3.850±10)×10-3Ω/Ω℃。是一种适合工业生产的经济、实用方法。
基本信息
专利标题 ：
温度传感器的铂薄膜制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1042793A
申请号 ：
CN88105605.7
公开（公告）日 ：
1990-06-06
申请日 ：
1988-11-16
授权号 ：
CN1014280B
授权日 ：
1991-10-09
发明人 ：
武蕴忠李生强
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
沈德新
优先权 ：
CN88105605.7
主分类号 ：
H01C7/12
IPC分类号 ：
H01C7/12 H01C7/00 C23C14/35 C23C14/40 G01K7/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
H01C7/10
电压响应的，即压敏电阻器
H01C7/12
过电压保护电阻器；避雷器
法律状态
1997-01-01 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-06-10 ：
授权
1991-10-09 ：
审定
1990-06-06 ：
公开
1990-04-11 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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