导电膜及其制造方法、以及温度传感器膜及其制造方法
公开
摘要
本发明的导电性膜(101)在包含树脂膜(5)的可挠性基板(40)的第一主面上具备金属薄膜(10)。可挠性基板的厚度为1mm以下。导电膜的加热尺寸变化率H1与从导电膜除去金属薄膜后的膜的加热尺寸变化率H2之差的绝对值|H2‑H1|优选为0.10％以下。存在以下倾向：|H2‑H1|越小，则将金属薄膜图案化后的温度传感器膜的起伏越受到抑制。
基本信息
专利标题 ：
导电膜及其制造方法、以及温度传感器膜及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556064A
申请号 ：
CN202080068969.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安井智史中岛一裕宫本幸大
申请人 ：
日东电工株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王铭浩
优先权 ：
CN202080068969.6
主分类号 ：
G01K7/16
IPC分类号 ：
G01K7/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01K
温度测量；热量测量；未列入其他类目的热敏元件
G01K7/08
被测物体本身构成热电材料之一，例如，尖端型的
G01K7/16
利用电阻元件
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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