温度传感器膜、导电膜及其制造方法
公开
摘要
本发明提供一种温度传感器膜，其在树脂膜基材上具备经图案化的金属薄膜，温度测定精度高。用于制作温度传感器膜的导电膜(102)在树脂膜基材(50)的一个主面上具备镍薄膜(10)。镍薄膜优选为镍的(111)面的面间隔小于0.2040nm。通过将镍薄膜图案化，而形成测温电阻部与连接于测温电阻部的引线部，从而可获得温度传感器膜。
基本信息
专利标题 ：
温度传感器膜、导电膜及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114467151A
申请号 ：
CN202080069058.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安井智史宫本幸大涩谷克则
申请人 ：
日东电工株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王铭浩
优先权 ：
CN202080069058.5
主分类号 ：
H01B5/14
IPC分类号 ：
H01B5/14 G01K7/22 H01B1/02 H01B13/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B5/00
按形状区分的非绝缘导体或导电物体
H01B5/14
在绝缘支承物上有导电层或导电薄膜的
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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