减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法、装置及按此方法生产的...
专利申请的视为撤回
摘要
减少磷酸镓压电晶体单元含水量之方法、装置及按此法制得的晶体单元。其方法特征是将每一GaPO4晶体单元全部由GaPO4原晶块的一统一生长晶带切割且不含晶带边界，之后将压电晶体单元与脱水溶液接触，直至在2.9μm的波长范围内达到一红外系数α＜1.5cm-1。
基本信息
专利标题 ：
减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法、装置及按此方法生产的晶体单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1038133A
申请号 ：
CN88107844.1
公开（公告）日 ：
1989-12-20
申请日 ：
1988-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
京特·恩格尔彼得·W·克兰帕尔赫尔穆特·李斯特乌维·波许阿尔佛雷德·尼兹
申请人 ：
AVL内燃发动机、测量技术公司
申请人地址 ：
奥地利格拉茨
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
曾建成
优先权 ：
CN88107844.1
主分类号 ：
C30B29/14
IPC分类号 ：
C30B29/14 C30B33/00 H01L41/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/14
磷酸盐
法律状态
1994-02-09 ：
专利申请的视为撤回
1990-07-25 ：
实质审查请求
1989-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
