一种透明半导体电热薄膜
专利申请的视为撤回
摘要
本发明是涉及制备一种新型透明半导体电热薄膜的工艺配方及加工方法。本发明是以SbCl3及CdCl2作为SnO2半导体层的掺杂剂，二甘醇丁醚醋酸酯、聚异丁烯、环己酮为粘结剂，以无水乙醇为主要溶剂，进行混合，搅匀。在衬底材料上采用浸涂和烘干的工艺技术，形成半导体薄膜型电热膜。本方法生产的电热薄膜成本低、热效率高、寿命长、透明度高、耐腐蚀、可干烧、可非明火加热，厚度薄而不易破裂。本发明所生产的产品适用于各种电热装置。
基本信息
专利标题 ：
一种透明半导体电热薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1051059A
申请号 ：
CN89107751.0
公开（公告）日 ：
1991-05-01
申请日 ：
1989-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
范砚英
申请人 ：
北京华岳电子技术开发公司
申请人地址 ：
100081北京市海淀魏公村177号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN89107751.0
主分类号 ：
C23C18/12
IPC分类号 ：
C23C18/12 H05B3/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆；接触镀
C23C18/02
热分解法
C23C18/12
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
法律状态
1993-03-10 ：
专利申请的视为撤回
1991-05-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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