具有抗反射层的叠层光生伏打器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种改进了的叠层型光生伏打器件，在其折射率为na的半导体层a和折射率为nb的半导体层b之间的界面中插入抗反射半导体层c；所述层c由成分比不同于层b的半导体膜构成；层c可由成分为另一种元素与层b的构成元素加在一起的半导体膜构成；层c的折射率，厚度d＝λ/4n,其中λ表示装在光传输方向上的光生伏打元件的光谱灵敏度的峰值波长。上述任何一种器件都具有所需的稳定的光电特性和高的光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
具有抗反射层的叠层光生伏打器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1042805A
申请号 ：
CN89108315.4
公开（公告）日 ：
1990-06-06
申请日 ：
1989-11-04
授权号 ：
CN1020525C
授权日 ：
1993-05-05
发明人 ：
中川克己
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN89108315.4
主分类号 ：
H01L31/04
IPC分类号 ：
H01L31/04 H01L31/0256 H01L31/0352
法律状态
2007-01-03 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-05-05 ：
授权
1992-02-19 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-06-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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