位移传感器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型是一种采用电感调频原理的位移传感器。其特征在于：采用了CMOS振荡电路集成块，导杆采用耐腐蚀、高弹性、高导磁软磁合金，线圈骨架采用温度系数小的绝缘材料，同时改进了线圈骨架和壳体的形状，使用了密封圈和可固化胶，不仅提高了传感器的灵敏度和稳定性，而且密封严密，极适用于水或其它液体中的位移测量。
基本信息
专利标题 ：
位移传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN89209261.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1989-07-04
授权号 ：
CN2050587U
授权日 ：
1990-01-03
发明人 ：
王德盛
申请人 ：
中国人民解放军空军工程设计研究局
申请人地址 ：
北京永定门外洋桥12号
代理机构 ：
中国人民解放军空军专利代理事务所
代理人 ：
王金秀
优先权 ：
CN89209261.0
主分类号 ：
G01B7/02
IPC分类号 ：
G01B7/02
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01B
长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量
G01B7/00
以采用电或磁的方法为特征的计量设备
G01B7/02
用于计量长度、宽度或厚度
法律状态
1993-05-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-08-01 ：
授权
1990-01-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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