有电荷存储结构的液晶器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
说明了一种由其上施加的电场驱动的改进液晶器件。该器件包括一层分布进入象素的液晶层，其光学性质被其中所感应的电场所改变。为了将磁滞给于该器件，邻近液晶层备有半导体电荷存储薄膜。
基本信息
专利标题 ：
有电荷存储结构的液晶器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1046048A
申请号 ：
CN90102032.X
公开（公告）日 ：
1990-10-10
申请日 ：
1987-02-16
授权号 ：
CN1026264C
授权日 ：
1994-10-19
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN90102032.X
主分类号 ：
G02F1/135
IPC分类号 ：
G02F1/135
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/13
基于液晶的，例如单位液晶显示单元
G02F1/133
构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置
G02F1/135
结构上与一光导层或铁电层相结合的液晶单元，可以从光学方面或电学方面改变其性能的
法律状态
1998-04-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-10-19 ：
授权
1990-10-10 ：
公开
1990-09-19 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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