红外气体激光器用光学材料的制法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明涉及红外气体激光器的窗口、透镜、偏振镜、反射镜、棱镜等光学器件用的IIIA-VA族、IIB-VIA族红外光学材料的工艺方法。将原料与密封剂(如三氧化二硼)置于坩埚中，充入惰性气体至2-5MPa。加热升温至250°-700℃，保温0.5小时以上，再升温至450°-1000℃，保温0.3小时以上，使其生成合成料，升温熔化合成料，减压至大于0.1MPa，在略高于合成料熔点温度下拉制晶体。本法工艺简便，生产率高，成本低，应用范围广，生产出的产品光学性能优良。
基本信息
专利标题 ：
红外气体激光器用光学材料的制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1058432A
申请号 ：
CN90104725.2
公开（公告）日 ：
1992-02-05
申请日 ：
1990-07-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李光华王岩王立兵
申请人 ：
北京有色金属研究总院
申请人地址 ：
100088北京市新街口外大街2号
代理机构 ：
北京市第三专利代理事务所
代理人 ：
母宗绪
优先权 ：
CN90104725.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/40 C30B29/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1995-12-27 ：
专利申请的视为撤回
1992-02-26 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1992-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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