连续碳化硅纤维的制备方法及装置
专利权的终止
摘要
一种连续碳化硅纤维的制备方法，它由基体上沉积SiC，再在SiC纤维外表面施以碳涂层等步骤组成，其特征在于：采用射频加热的方式，在反应室的两端分别通入沉积SiC和C的反应气，在反应室的中部出气；沉积SiC的反应气体原料为CH3SiCl3和CH3SiHCl2，载流气体为高纯氢气，沉积SiC的温度为1220-1350℃；SiC纤维外表面碳涂层的C2H2流量为0.4-0.51/min，稀释用H2流量为0.25-0.41/min，涂层温度为1350-1450℃。本发明无接触加热，无水银污染，加热温度均匀，且仅使用一个电源在同一反应室中一次性完成沉积SiC和在纤维外表面涂敷碳保护涂层。
基本信息
专利标题 ：
连续碳化硅纤维的制备方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1062381A
申请号 ：
CN90106461.0
公开（公告）日 ：
1992-07-01
申请日 ：
1990-12-10
授权号 ：
CN1035631C
授权日 ：
1997-08-13
发明人 ：
石南林常新春夏非
申请人 ：
中国科学院金属研究所
申请人地址 ：
110015辽宁省沈阳市文化路二段六号
代理机构 ：
中国科学院沈阳专利事务所
代理人 ：
闵宪智
优先权 ：
CN90106461.0
主分类号 ：
C23C16/32
IPC分类号 ：
C23C16/32 C23C16/42 C23C16/46 C23C16/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/32
碳化物
法律状态
2011-02-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101038288312
IPC(主分类) : C23C 16/32
专利号 : ZL901064610
申请日 : 19901210
授权公告日 : 19970813
终止日期 : 20100111
号牌文件序号 : 101038288312
IPC(主分类) : C23C 16/32
专利号 : ZL901064610
申请日 : 19901210
授权公告日 : 19970813
终止日期 : 20100111
2002-04-24 ：
其他有关事项
1997-08-13 ：
授权
1992-09-02 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1992-07-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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