无定形硅的制备方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明属于硅的制备方法。无定形硅广泛应用于半导体材料、太阳能电池和储氢材料等。采用活泼金属镁与四氯化硅直接反应，惰性气体保护，在370～410℃温度下保温4～8小时，用稀盐酸和水洗涤反应产物，干燥即得棕色无定形硅。本发明工艺简单，成本低，是制备无定形硅较理想的方法。
基本信息
专利标题 ：
无定形硅的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1060081A
申请号 ：
CN90108098.5
公开（公告）日 ：
1992-04-08
申请日 ：
1990-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张允什袁华堂张大昕
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
300071天津市卫津路94号
代理机构 ：
南开大学专利事务所
代理人 ：
赵尊生
优先权 ：
CN90108098.5
主分类号 ：
C01B33/033
IPC分类号 ：
C01B33/033
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/033
使用金属或金属合金作为惟一还原剂的卤化硅或卤代硅烷的还原
法律状态
1996-07-17 ：
专利申请的视为撤回
1992-09-23 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1992-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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