锰铋加轻稀土元素的磁光薄膜介质
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是在MnBi中掺入轻稀土元素R(R＝La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd)，蒸镀时投料的配方适当，改善了介质的热稳定性，大大增高了磁光Kerr转角θK(θK＝1.8-2.6°)，并提高了介质的磁光优值θKR反的值。本发明在蒸镀时采用液氮冷却基片的方法，使生成的晶粒细化，降低了晶界噪声。在退火工艺中采用“步进式”退火方法，提高了样品性能的均匀性。该发明是用作磁光存储技术中磁光盘片的介质和用于磁光技术中的各种磁光器件的金属薄膜介质。
基本信息
专利标题 ：
锰铋加轻稀土元素的磁光薄膜介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1062805A
申请号 ：
CN90110030.7
公开（公告）日 ：
1992-07-15
申请日 ：
1990-12-28
授权号 ：
CN1027200C
授权日 ：
1994-12-28
发明人 ：
方瑞宜李东镭刘明升杨丹坤戴道生
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
100871北京市海淀区中关村北京大学
代理机构 ：
北京大学专利事务所
代理人 ：
陈美章
优先权 ：
CN90110030.7
主分类号 ：
G11B11/10
IPC分类号 ：
G11B11/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B11/00
利用列入G11B3/00至G11B7/00的不同大组的或列入大组G11B9/00的不同小组的方法或装置在同一记录载体上进行记录或重现的；为此所用的记录载体
G11B11/10
使用激磁或退磁进行记录的
法律状态
1997-02-12 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-12-28 ：
授权
1992-07-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
