硅平面工艺中新的磷扩散技术
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明革新了硅平面工艺中的磷扩散工艺，它用很低的温度淀积磷源，然后在适当高温下，在氧和氮气氛中对硅片进行氧化，完成杂质的再分布。这样不仅工艺简单、重复性好，而且能形成性能良好的ＰＮ结，提高了产品的成品率。
基本信息
专利标题 ：
硅平面工艺中新的磷扩散技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1065951A
申请号 ：
CN91102309.7
公开（公告）日 ：
1992-11-04
申请日 ：
1991-04-13
授权号 ：
CN1037642C
授权日 ：
1998-03-04
发明人 ：
陈炳若何民才
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
430072湖北省武汉市武昌珞珈山
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN91102309.7
主分类号 ：
H01L21/225
IPC分类号 ：
H01L21/225
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225
应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层
法律状态
1999-06-09 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1998-03-04 ：
授权
1995-04-26 ：
实质审查请求的生效
1992-11-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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