真空断路器的触头成型材料及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种真空断路器的触头成形材料，其特征是：其中含有重量百分比20％-60％的Cr，占Cu和Bi总重量的0.05％-1.0％的Bi元素，其余部分实质上为Cu，并形成一个触头形状，然后将所加工的材料进行真空热处理，这种真空断路器的触头不仅具有优良的耐熔焊特性，而且具有优良的耐压特性。本发明还涉及该材料的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
真空断路器的触头成型材料及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1058116A
申请号 ：
CN91104551.1
公开（公告）日 ：
1992-01-22
申请日 ：
1991-06-07
授权号 ：
CN1024860C
授权日 ：
1994-06-01
发明人 ：
关经世奥富功山本敦史乙部清文关口薰旦
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨丽琴
优先权 ：
CN91104551.1
主分类号 ：
H01H1/02
IPC分类号 ：
H01H1/02 H01H11/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关；继电器；选择器；紧急保护装置
H01H1/00
触点
H01H1/02
按所用材料区分
法律状态
2001-08-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-06-01 ：
授权
1992-01-22 ：
公开
1992-01-08 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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