真空断路器触头材料的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要

一种合金制备方法,合金含有铬组分和基本组分,基本组分含至少一种选自铜和银组成的元素组的元素。该方法包括下列工序;将铬材料与碳材料一起进行热处理;再用热处理工序处理过的铬材料和基本组分的材料制造合金材料。在热处理工序中铬材料与50百万分率至5,000百万分率的碳材料混合,然后在非氧化气氛下加热至800℃至1,400℃温度范围。按照该制造方法,合金材料中氧含量降低到不高于200百万分率。得出的合金材料可用作真空断路器的触头材料。

基本信息
专利标题 :
真空断路器触头材料的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1068597A
申请号 :
CN92105508.0
公开(公告)日 :
1993-02-03
申请日 :
1992-07-04
授权号 :
CN1034087C
授权日 :
1997-02-19
发明人 :
奥富功关经世山本敦史大川干夫关口薰旦马岛淑子
申请人 :
株式会社东芝
申请人地址 :
日本神奈川县
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
王忠忠
优先权 :
CN92105508.0
主分类号 :
C22C1/04
IPC分类号 :
C22C1/04  C22C5/06  C22C9/00  B22F1/00  H01H1/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C22
冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理
C22C
合金
C22C1/00
有色金属合金的制造
C22C1/04
用粉末冶金法
法律状态
2003-08-27 :
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 :
其他有关事项
1997-02-19 :
授权
1993-02-03 :
公开
1993-01-06 :
实质审查请求的生效
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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