真空断路器触头材料的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种合金制备方法，合金含有铬组分和基本组分，基本组分含至少一种选自铜和银组成的元素组的元素。该方法包括下列工序；将铬材料与碳材料一起进行热处理；再用热处理工序处理过的铬材料和基本组分的材料制造合金材料。在热处理工序中铬材料与50百万分率至5,000百万分率的碳材料混合，然后在非氧化气氛下加热至800℃至1,400℃温度范围。按照该制造方法，合金材料中氧含量降低到不高于200百万分率。得出的合金材料可用作真空断路器的触头材料。
基本信息
专利标题 ：
真空断路器触头材料的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1068597A
申请号 ：
CN92105508.0
公开（公告）日 ：
1993-02-03
申请日 ：
1992-07-04
授权号 ：
CN1034087C
授权日 ：
1997-02-19
发明人 ：
奥富功关经世山本敦史大川干夫关口薰旦马岛淑子
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王忠忠
优先权 ：
CN92105508.0
主分类号 ：
C22C1/04
IPC分类号 ：
C22C1/04 C22C5/06 C22C9/00 B22F1/00 H01H1/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C22
冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理
C22C
合金
C22C1/00
有色金属合金的制造
C22C1/04
用粉末冶金法
法律状态
2003-08-27 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1997-02-19 ：
授权
1993-02-03 ：
公开
1993-01-06 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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