全膜真空电容器和局部浸渍电容器
专利申请的视为撤回
摘要
本发明是有关固体电容器的改进，全膜真空电容器的极板之间的气隙小于10μm，容器壳内设置保护间隙装置，局部浸渍电容器的极板之间的气隙需小于1.5μm，介质均采用光膜，元件在常温常压下浸渍，全膜真空电容器的技术性能比传统产品大大提高，而局部浸渍电容器的工艺时间大大缩短，成本大大降低。
基本信息
专利标题 ：
全膜真空电容器和局部浸渍电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1060179A
申请号 ：
CN91109168.8
公开（公告）日 ：
1992-04-08
申请日 ：
1991-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
武学诗
申请人 ：
武学诗
申请人地址 ：
100021北京市朝阳区劲松路1号
代理机构 ：
首都专利代理事务所
代理人 ：
杨思东
优先权 ：
CN91109168.8
主分类号 ：
H01G4/14
IPC分类号 ：
H01G4/14 H01G4/22 H01G1/13
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/018
电介质
H01G4/06
固体电介质
H01G4/14
有机电介质
法律状态
1993-08-11 ：
专利申请的视为撤回
1992-04-08 ：
公开
1992-03-18 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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