能荷载高量客体的层状晶体材料
实质审查请求的生效
摘要
本发明提供了一种晶体材料及其制造方法，该材料能大量荷载摩尔比大于3的客体，并显示吉布斯自由能函数与客体浓度无关。该晶体材料属MeyChx类，其中Me选自Bi和Sb，Ch选自Te、Se和S，Y为1或2，Z在1至3的范围内，故此该材料的缺陷密度低得足以允许在范德瓦耳斯沟槽内，每摩尔所述材料至少层夹3摩尔锂，而并无明显晶格畸变。本发明可提供一种客体荷载高达10摩尔/摩尔主体的层夹材料。
基本信息
专利标题 ：
能荷载高量客体的层状晶体材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1074249A
申请号 ：
CN92113391.X
公开（公告）日 ：
1993-07-14
申请日 ：
1992-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
维克托·I·特雷菲洛夫伊万·I·格里戈特切克科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克扎哈·D·科瓦里尤克伊万·D·科茨米克博丹·P·巴马蒂尤克
申请人 ：
维克托·I·特雷菲洛夫;科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克;扎哈·D·科瓦里尤克;伊万·I·格里戈特切克;伊万·D·科茨米克;博丹·P·巴马蒂尤克
申请人地址 ：
乌克兰基辅
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN92113391.X
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
1997-04-23 ：
实质审查请求的生效
1997-03-26 ：
实质审查请求的生效
1993-07-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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