光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置

其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)

摘要

本实用新型公开了一种光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置。它解决了目前人工晶体的生成装置温度控制精度低，含氘量易受影响等问题，具有结构简单，使用方便，能有效保证晶体生成所需的氘量，并能提高温控精度等优点。其结构为：它有外壳，其内设有晶体生成容器，所述晶体生成容器为透明容器，在其外壁上布满反射层，在透明容器底部设有光加热装置，该装置与温度控制装置连接。

基本信息

专利标题：

光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620161666.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-12-27

授权号：

CN200992589Y

授权日：

2007-12-19

发明人：

钟毅钟鸣

申请人：

钟毅

申请人地址：

250021山东省济南市槐荫区经四路453号楼1单元502号

代理机构：

济南圣达专利商标事务所

代理人：

张勇

优先权：

CN200620161666.6

主分类号：

C30B7/00

IPC分类号：

C30B7/00

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B7/00

常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）

法律状态

2009-08-19 ：

其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)

放弃生效日 : 2009812

2008-03-19 ：

实用新型专利公报更正

号 : 51
卷 : 23
页码 : 无
更正项目 : 共同专利权人
误 : 无
正 : 钟鸣

2008-03-19 ：

实用新型专利说明书更正

号 : 51
卷 : 23
页码 : 扉页
更正项目 : 共同专利权人
误 : 无
正 : 钟鸣

2007-12-19 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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