一种使用移动加热器法生长高质量CLLB晶体的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出一种使用移动加热器法生长高质量Cs2LiLaBr6晶体的方法，依据Cs2LaBr5‑LiBr相图，分别制备了符合CLLB计量比的致密多晶料、可以直接析出CLLB晶体比例的溶剂区致密多晶料，之后利用符合CLLB计量比的致密多晶料和溶剂区致密多晶料，通过调整出特定的温场形状令只有溶剂区多晶料融化，熔体扩散和对流中使得符合CLLB计量比的多晶料在溶解界面溶解，然后在生长界面析出，采用THM法，随着炉体和晶体的相对移动，溶剂区缓慢的上移，最终全部符合CLLB计量比的多晶料融化通过溶剂区并在生长界面析出结晶，生长出结晶质量良好的CLLB单晶体。本发明可以使熔体始终维持在可以析出CLLB晶体的比例，又能避免熔区溶质浓度降低导致的结晶界面失稳，提高LiBr的利用率。
基本信息
专利标题 ：
一种使用移动加热器法生长高质量CLLB晶体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411251A
申请号 ：
CN202210064013.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张香港蔡卓辰殷子昂王涛赵清华
申请人 ：
西北工业大学深圳研究院;西北工业大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新南九道45号
代理机构 ：
西北工业大学专利中心
代理人 ：
陈星
优先权 ：
CN202210064013.X
主分类号 ：
C30B29/12
IPC分类号 ：
C30B29/12 C30B9/06 G01T1/202
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/12
卤化物
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/12
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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