生长大尺寸、高质量氟化铅(PbF2)晶体的新技术
专利申请的视为撤回
摘要
本发明给出在非真空、不加压、不通气氛的条件下，在普通的、自已能搭建的生长氧化物晶体的生长炉内用下降法生长出在高温下极易分解的PbF2晶体，生长出的晶体光学透光率好。本发明使生长PbF2晶体的复杂的工艺条件变得非常简便，大大降低了生长优质PbF2晶体的成本，工艺设计既经济又易于实现晶体生长自动化，除进出炉需有人管理外，本发明的生长过程可全部实现自动操作，可大大节约人力。
基本信息
专利标题 ：
生长大尺寸、高质量氟化铅(PbF2)晶体的新技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1093419A
申请号 ：
CN93112391.7
公开（公告）日 ：
1994-10-12
申请日 ：
1993-04-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈定中殷之文袁湘龙洪虹张黎星李培俊
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
聂淑仪
优先权 ：
CN93112391.7
主分类号 ：
C30B11/02
IPC分类号 ：
C30B11/02 C30B29/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B11/02
不使用溶剂的
法律状态
1996-09-25 ：
专利申请的视为撤回
1994-10-12 ：
公开
1993-09-15 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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