220毫米长的大尺寸氟化铈晶体的生长技术
专利权的终止专利权的主动放弃
摘要
本发明涉及晶体生长技术，尤其是大批量生长２２０毫米长的大尺寸优质氟化铈晶体的技术，属晶体生长领域。本发明提供的技术包括原料处理、坩埚、生长设备以及生产工艺四方面。用本发明提供的技术可以大批量生长长度达２２０ｍｍ的CeF3晶体。经测定在波长为３４０ｍｍ处具有良好透过度，抗辐照性能优异，可满足作为西欧核子中心对撞机用的闪烁材料的要求。
基本信息
专利标题 ：
220毫米长的大尺寸氟化铈晶体的生长技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1109112A
申请号 ：
CN94112080.5
公开（公告）日 ：
1995-09-27
申请日 ：
1994-03-23
授权号 ：
CN1046006C
授权日 ：
1999-10-27
发明人 ：
胡关钦殷之文徐力古佩新赵元龙江金娥
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市定西路1295号
代理机构 ：
上海华东专利事务所
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN94112080.5
主分类号 ：
C30B29/12
IPC分类号 ：
C30B29/12 C30B11/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/12
卤化物
法律状态
2003-05-21 ：
专利权的终止专利权的主动放弃
1999-10-27 ：
授权
1997-08-27 ：
实质审查请求的生效
1995-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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