三元原子晶体剥离制备二维层状材料的方法
授权
摘要
本发明公开三元原子晶体剥离制备二维层状材料的方法，以GaGeLi晶体为前驱体，分散于乙醇中，用氩气脱气后以Teflon胶带密封，超声处理并避免浴缸和液体过热，水冷维持在20—25℃，再离心分离即可得到二维层状半导体材料2D‑GaGeLi。其光学带隙与剥离所得层数有关，层数越少，带隙越大。在光电器件、光催化等方面应用有具有较大的潜在性。
基本信息
专利标题 ：
三元原子晶体剥离制备二维层状材料的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110699755A
申请号 ：
CN201810751854.1
公开（公告）日 ：
2020-01-17
申请日 ：
2018-07-10
授权号 ：
CN110699755B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
封伟张鑫王宇赵付来冯奕钰李瑀
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路92号
代理机构 ：
天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王秀奎
优先权 ：
CN201810751854.1
主分类号 ：
C30B29/52
IPC分类号 ：
C30B29/52 C30B29/64 C30B1/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/52
合金
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-02-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/52
申请日 : 20180710
申请日 : 20180710
2020-01-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
