一种三元原子晶体剥离制备二维层状材料的方法
授权
摘要
本发明公开一种三元原子晶体剥离制备二维层状材料的方法，以GeSeTe晶体为前驱体，分散于装有异丙醇溶剂的小瓶中，用氩气脱气后以Teflon胶带密封，超声处理6h，避免浴缸和液体过热，水冷维持在10℃，再离心分离即可得到二维层状半导体材料2D‑GeSeTe。与过渡金属硫族化合物GeSn、GeS等相似，该三元晶体具有合适的光学带隙，可用于光电器件、光催化等领域。
基本信息
专利标题 ：
一种三元原子晶体剥离制备二维层状材料的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112299383A
申请号 ：
CN201910707739.9
公开（公告）日 ：
2021-02-02
申请日 ：
2019-08-01
授权号 ：
CN112299383B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
封伟张鑫冯奕钰李瑀赵付来王宇梁雪静
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路92号
代理机构 ：
天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王秀奎
优先权 ：
CN201910707739.9
主分类号 ：
C01B19/00
IPC分类号 ：
C01B19/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B19/00
硒；碲；其化合物
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-02-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 19/00
申请日 : 20190801
申请日 : 20190801
2021-02-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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