一种制备单相钡镱铜氧超导体的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种高Tc氧化物超导体的制备方法，特别是涉及一种单相YbBa＃-[2]Cu＃-[3]O＃-[7-x]超导体的制备方法。本发明的目的在于克服在制备过程中Yb－211等杂相的生成和节约能源，从而提供一种用Yb＃-[2]O＃-[3]做原料和按Yb－123相的形成过程可采用较低的烧结温度的制备出单相性好的熔融结构的,具有Tc＝92K的超导体的方法。$＃!
基本信息
专利标题 ：
一种制备单相钡镱铜氧超导体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1107250A
申请号 ：
CN94101027.9
公开（公告）日 ：
1995-08-23
申请日 ：
1994-02-16
授权号 ：
CN1072828C
授权日 ：
2001-10-10
发明人 ：
车广灿杜玉扣贾顺莲赵忠贤
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
100080北京市603信箱88号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
高存秀
优先权 ：
CN94101027.9
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 H01L39/24 C04B35/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
2005-04-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2001-10-10 ：
授权
1996-05-29 ：
实质审查请求的生效
1996-05-08 ：
实质审查请求的生效
1995-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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