电子电路
专利权的终止
摘要
一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100—750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。
基本信息
专利标题 ：
电子电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1432858A
申请号 ：
CN03104197.3
公开（公告）日 ：
2003-07-30
申请日 ：
1993-12-09
授权号 ：
CN1249506C
授权日 ：
2006-04-05
发明人 ：
宫崎稔A·村上崔葆春山本睦夫
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN03104197.3
主分类号 ：
G02F1/136
IPC分类号 ：
G02F1/136 G02F1/1343 H01L21/3205 C23C14/34
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/13
基于液晶的，例如单位液晶显示单元
G02F1/133
构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置
G02F1/136
结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元
法律状态
2014-02-05 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101567132887
IPC(主分类) : G02F 1/136
专利号 : ZL031041973
申请日 : 19931209
授权公告日 : 20060405
期满终止日期 : 20131209
号牌文件序号 : 101567132887
IPC(主分类) : G02F 1/136
专利号 : ZL031041973
申请日 : 19931209
授权公告日 : 20060405
期满终止日期 : 20131209
2006-04-05 ：
授权
2003-10-15 ：
实质审查的生效
2003-07-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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