提高超薄等离子体氮氧化硅电性测试准确性的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开一种提高超薄等离子体氮氧化硅电性测试准确性的方法，在半导体制造工艺中，对于90纳米制程的栅氧化物来说，等效氧化物厚度EOT(Equivalent OxideThickness)和软击穿电压的测量非常关键。常规的准C－V方法应用于等离子体氮化氧化物的时候会有许多噪音，因为在氧化物中的电荷是不稳定的。特别是等离子体氮化带来的正电荷，将花费很长时间才能使其放电而稳定下来，否则将由于电荷的不稳定状态使测量结果有很多噪音，变得不准确，通常在正式测量前需要用一整天的时间使电荷稳定下来，应用本发明的方法，可以使测试样品中的电荷快速稳定下来，同时也避免了噪音的问题。

基本信息

专利标题：

提高超薄等离子体氮氧化硅电性测试准确性的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1937195A

申请号：

CN200510029999.3

公开（公告）日：

2007-03-28

申请日：

2005-09-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郭佳衢

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英

优先权：

CN200510029999.3

主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

H01L21/66

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/66

在制造或处理过程中的测试或测量

法律状态

2019-09-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20090211
终止日期 : 20180923

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259716567
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2005100299993
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2009-02-11 ：

授权

2007-05-23 ：

实质审查的生效

2007-03-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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