适用于场致电子器件的碳纳米管侧壁电极结构
发明专利申请公布后的驳回
摘要

一种适用于场致电子器件的碳纳米管侧壁电极结构,属于传感器和电子光学器件领域。本发明包括:基片和碳纳米管侧壁电极,基片表面支撑和排列碳纳米管侧壁电极,所述的基片由一种或多种导电材料、半导体材料和绝缘材料组合而成,基层为单层或者多层,基层或者进行图形化从而形成平面或者立体结构,所述的碳纳米管侧壁电极中的碳纳米管暴露于阴极和阳极侧壁。本发明具有电极结构简单,电极间距可以在微电子制造技术的精度范围内有效控制,本发明的碳纳米管侧壁电极同时将碳纳米管应用于阳极和阴极,充分和有效地利用和发挥了碳纳米管电极的性能优势和微电子制造工艺的加工技术优势。

基本信息
专利标题 :
适用于场致电子器件的碳纳米管侧壁电极结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1770353A
申请号 :
CN200510030262.3
公开(公告)日 :
2006-05-10
申请日 :
2005-09-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张亚非侯中宇蔡炳初徐东魏星
申请人 :
上海交通大学
申请人地址 :
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 :
上海交达专利事务所
代理人 :
王锡麟
优先权 :
CN200510030262.3
主分类号 :
H01J1/304
IPC分类号 :
H01J1/304  H01J1/36  H01J9/02  H01L21/28  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔,通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/30
冷阴极
H01J1/304
场致发射阴极
法律状态
2010-02-10 :
发明专利申请公布后的驳回
2006-07-05 :
实质审查的生效
2006-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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