铜互连阻挡层材料TaWN薄膜
专利权的终止
摘要
一种材料技术领域的铜互连阻挡层材料TaWN薄膜，包含的组分及重量百分比为：W 13.6％～22.7％，N 9％，其余为Ta。当W 16.4～18.2％时，TaWN薄膜阻挡性能到850℃退火30分钟才失效。与现有技术相比，本发明TaWN薄膜，保持了TaN与铜优良的粘附性和低电阻率的特点，同时，W的加入，打破了TaNx薄膜生长过程中晶相的平衡态，提高了TaNx的结晶温度，得到了非晶的TaWN，减小了铜扩散的通道，能有效阻挡铜扩散。而且TaWN促进了Cu沿(111)方向成核生长，该取向的铜的抗电迁移能力强于(200)取向生长的铜。因此，本发明TaWN薄膜是理想的铜互连阻挡层候选材料。
基本信息
专利标题 ：
铜互连阻挡层材料TaWN薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1760408A
申请号 ：
CN200510030978.3
公开（公告）日 ：
2006-04-19
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
凌惠琴陈寿面李明毛大立杨春生
申请人 ：
上海交通大学;上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址 ：
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海交达专利事务所
代理人 ：
王锡麟
优先权 ：
CN200510030978.3
主分类号 ：
C23C30/00
IPC分类号 ：
C23C30/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C30/00
仅以金属材料组成为特征的金属材料镀覆，即不以镀覆工艺为特征
法律状态
2012-01-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101166311091
IPC(主分类) : C23C 30/00
专利号 : ZL2005100309783
申请日 : 20051103
授权公告日 : 20080416
终止日期 : 20101103
号牌文件序号 : 101166311091
IPC(主分类) : C23C 30/00
专利号 : ZL2005100309783
申请日 : 20051103
授权公告日 : 20080416
终止日期 : 20101103
2008-04-16 ：
授权
2006-06-07 ：
实质审查的生效
2006-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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