含稠环基聚硅烷制备方法
专利实施许可合同的备案
摘要
本发明涉及一种含稠环基聚硅烷制备新方法,本发明需要解决的技术问题是,提供一种操作简单、安全,聚硅烷聚合度较高,所得共聚物分离较方便的含稠环基聚硅烷制备新方法。本发明方法,乙烯基硅烷共聚物B在高沸点溶剂α-氯萘中,氮气保护下与稠环基环戊二烯酮A发生加成反应,在聚硅烷的侧链中引入稠环基,得含稠环基聚硅烷产品。本发明的乙烯基硅烷共聚物B还可以通过烷基乙烯基二氯硅烷,烷基苯基二氯硅烷和/或二烷基二氯硅烷聚合而得。
基本信息
专利标题 :
含稠环基聚硅烷制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1807475A
申请号 :
CN200510061319.6
公开(公告)日 :
2006-07-26
申请日 :
2005-10-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
来国桥李美江刘志芳吕素芳邱化玉刘勇
申请人 :
杭州师范学院
申请人地址 :
310036浙江省杭州市西湖区文一路222号
代理机构 :
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 :
俞润体
优先权 :
CN200510061319.6
主分类号 :
C08F283/12
IPC分类号 :
C08F283/12
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C08
有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物
C08F
仅用碳-碳不饱和键反应得到的高分子化合物
C08F283/00
由单体接到C08G小类所包括的聚合物上聚合而得到的高分子化合物
C08F283/12
接到聚硅氧烷上
法律状态
2009-12-30 :
专利实施许可合同的备案
合同备案号 : 2009330002116
让与人 : 杭州师范大学
受让人 : 浙江胡涂硅有限公司
发明名称 : 含稠环基聚硅烷制备方法
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20071031
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 2009.8.21
合同履行期限 : 2009.6.20至2015.6.19合同变更
让与人 : 杭州师范大学
受让人 : 浙江胡涂硅有限公司
发明名称 : 含稠环基聚硅烷制备方法
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20071031
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 2009.8.21
合同履行期限 : 2009.6.20至2015.6.19合同变更
2009-09-23 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更后 : 杭州师范大学
变更事项 : 地址
变更事项 : 专利权人
变更前 : 杭州师范学院
变更前 : 浙江省杭州市西湖区文一路222号 邮编 : 310036
变更后 : 浙江省杭州市文一路222号杭州师范大学有机硅实验室 邮编 : 310036
变更事项 : 地址
变更事项 : 专利权人
变更前 : 杭州师范学院
变更前 : 浙江省杭州市西湖区文一路222号 邮编 : 310036
变更后 : 浙江省杭州市文一路222号杭州师范大学有机硅实验室 邮编 : 310036
2007-10-31 :
授权
2006-09-20 :
实质审查的生效
2006-07-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100345880C.PDF
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2、
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