一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积了硬磁层、第一软磁层、非磁金属导电层或者绝缘层、第二软磁层及覆盖层。所述的硬磁层为剩磁比较高，矫顽力较大的铁磁材料组成，所述的软磁层为自旋极化率高，矫顽力较小的铁磁材料组成。该基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件，还包括在硬磁层和第一软磁层之间的铁磁/反铁磁耦合层。所述的硬磁层还可以是复合硬磁层。所述的第二软磁层还可以是复合软磁层。该自旋阀磁电阻器件是在单晶衬底上采用真空镀膜的方法依次形成上述各层而得。该具有自旋阀结构的磁电阻器件不存在Mn的热扩散而具有高的热稳定性，可用于巨磁电阻器件和隧穿磁电阻器件。
基本信息
专利标题 ：
一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941448A
申请号 ：
CN200510086523.3
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜关祥韩秀峰姜丽仙赵静詹文山
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 ：
高存秀
优先权 ：
CN200510086523.3
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/12
法律状态
2014-11-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101588948630
IPC(主分类) : H01L 43/08
专利号 : ZL2005100865233
申请日 : 20050927
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20130927
号牌文件序号 : 101588948630
IPC(主分类) : H01L 43/08
专利号 : ZL2005100865233
申请日 : 20050927
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20130927
2009-01-14 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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