一种表面活性剂插层磁性水滑石材料及其制备方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明提供了一种表面活性剂插层磁性水滑石材料及其制备方法，属于水滑石材料技术领域。这种表面活性剂插层磁性水滑石的化学式为：(M2+)1－x(N3+)x(OH)2(Surf)a(Bn－)b·mH2O/M’Fe2O4。其制备是先采用共沉淀法方法制备纳米级磁性核，将该磁性核与相应的盐溶液混合，再利用共沉淀法将表面活性剂组装入水滑石层间，同时得到含有磁性核的表面活性剂插层水滑石。本发明的优点在于：在使用过程中可通过控制外加磁场的磁场强度和方向实现操作体系磁性水滑石的高度分散和靶向定位，可以将原本无法插层或者很难插层的非离子型和/或疏水型有机物分子组装入水滑石层间。
基本信息
专利标题 ：
一种表面活性剂插层磁性水滑石材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1772622A
申请号 ：
CN200510086566.1
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段雪张慧邹亢高承香王斌
申请人 ：
北京化工大学
申请人地址 ：
100029北京市朝阳区北三环东路15号
代理机构 ：
北京科大华谊专利代理事务所
代理人 ：
刘月娥
优先权 ：
CN200510086566.1
主分类号 ：
C01G1/02
IPC分类号 ：
C01G1/02 C01F7/00 B01J20/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G1/00
不包含在C01B、C01C、C01D或C01F小类中之金属化合物的一般制备方法
C01G1/02
氧化物
法律状态
2009-12-09 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2008-02-13 ：
授权
2006-07-12 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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