避开与非门闪存坏区的存储系统及方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种内存存储系统及方法，尤其涉及一种避开与非门闪存坏区的存储系统及方法。该系统包括中央处理单元、地址门锁电路、控制模块、内存控制讯号生成模块、缓冲模块、总线控制模组、与非门闪存，其特征在于本系统还包括坏区处理模块，所述坏区处理模块分别与所述中央处理单元、所述地址门锁电路及所述总线控制模块联接。本发明的优点在于在硬件电路的基础上结合软件来实现避开与非门闪存(NAND FLASH)坏区，为能够在对与非门闪存进行存储的过程中避开与非门闪存的坏区提供了一种低成本、高效率的解决方案。
基本信息
专利标题 ：
避开与非门闪存坏区的存储系统及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801115A
申请号 ：
CN200510096367.9
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈淮琰肖坚杨党林
申请人 ：
无敌科技（西安）有限公司
申请人地址 ：
710075陕西省西安市高新开发区光德路2号楼2楼
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
商宇科
优先权 ：
CN200510096367.9
主分类号 ：
G06F12/00
IPC分类号 ：
G06F12/00 G06F12/02 G06F12/16 G11C16/02 G11C16/06
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F12/00
安装在筛选装置之上的在存储器系统或体系结构内的存取、寻址或分配
法律状态
2008-07-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1801115A.PDF
PDF下载
