一种NAND FLASH存储芯片坏区检测管理方法
公开
摘要
本发明公开了一种NAND FLASH存储芯片坏区检测管理方法，包括：根据NAND FLASH存储芯片的使用状态，判断坏区的类型；若判断为固有坏区，进行初始化扫描读取以记录当前NAND FLASH存储芯片的所有坏区地址；若判断为使用坏区，进行擦除读取以记录当前NAND FLASH存储芯片的所有坏区地址。本发明对于NAND FLASH的坏区管理，能够实现新出厂NAND FLASH存储芯片，以及使用中的NAND FLASH存储芯片的坏区检测，具有通用性，实用性强的特点，适用于所有NAND FLASH，极大地提升芯片的使用寿命，使得芯片的每一个存储区都能够得到平均化的使用，提升芯片的抗磨损度。
基本信息
专利标题 ：
一种NAND FLASH存储芯片坏区检测管理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114627932A
申请号 ：
CN202011428749.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡红伟吴智慧邵星明
申请人 ：
南京长峰航天电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江北新区星火路14号
代理机构 ：
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 ：
侯成兵
优先权 ：
CN202011428749.8
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/16 G11C16/34 G06F12/0882
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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