存储芯片
公开
摘要
本申请提供了一种存储芯片，包括：一次可编程区域，包括第一SOT单元、开关单元和数据读取单元，第一SOT单元的第一端与位线电连接，第一SOT单元的第二端与开关单元的第一端电连接，开关单元的第二端与源极线电连接，开关单元的第三端与字线电连接，第一SOT单元包括接触设置的第一MTJ和第一自旋轨道矩层；数据存储区域，包括第二SOT单元、读单元和写单元，读单元的第一端和写单元的第一端分别与源极线电连接，读单元的第二端与第二SOT单元的第一端电连接，写单元的第二端与第二SOT单元的第二端电连接，第二SOT单元的第三端与位线电连接，第二SOT单元包括接触设置的至少一个第二MTJ和第二自旋轨道矩层。
基本信息
专利标题 ：
存储芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566196A
申请号 ：
CN202011360601.5
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何世坤周亚星郑泽杰
申请人 ：
浙江驰拓科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市青山湖街道励新路9号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
霍文娟
优先权 ：
CN202011360601.5
主分类号 ：
G11C11/16
IPC分类号 ：
G11C11/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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