自旋注入磁随机存取存储器及写入方法
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摘要
根据本发明的一种自旋注入磁随机存取存储器，包括磁电阻元件，该磁电阻元件具有其磁化方向固定的磁性固定层、其磁化方向可以通过注入自旋极化电子改变的磁性记录层、和提供在磁性固定层和磁性记录层之间的隧道势垒层；位线，该位线使自旋注入电流通过磁电阻元件，自旋注入电流用于产生自旋极化的电子；写入字线，辅助电流通过该写入字线，辅助电流用于沿着磁电阻元件的易磁化轴方向产生辅助磁场；以及驱动器/吸收器，该驱动器/吸收器确定自旋注入电流的方向和辅助电流的方向。
基本信息
专利标题 ：
自旋注入磁随机存取存储器及写入方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1811984A
申请号 ：
CN200610002435.5
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
齐藤好昭杉山英行井口智明岩田佳久
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王永刚
优先权 ：
CN200610002435.5
主分类号 ：
G11C11/16
IPC分类号 ：
G11C11/16 G11C7/00 H01L43/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2009-01-14 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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