多晶Fe3O4
专利权的终止
摘要
本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径大小为13～19nm，厚度200～500nm，该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有织构，室温磁电阻数值在10％～12％。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。
基本信息
专利标题 ：
多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819077A
申请号 ：
CN200610013054.7
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘晖王雅欣王健刘技文张德贤孙云李志青
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
300071天津市卫津路94号南开大学信息学院
代理机构 ：
天津市学苑有限责任专利代理事务所
代理人 ：
赵尊生
优先权 ：
CN200610013054.7
主分类号 ：
H01F10/20
IPC分类号 ：
H01F10/20 H01F41/18 G11B5/39 G11C11/16 H01L43/08 H01L43/12 G01R33/09
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F10/00
磁性薄膜，如单畴结构的
H01F10/08
按磁层的特性区分的
H01F10/10
按成分区分的
H01F10/18
是化合物的
H01F10/20
铁氧体
法律状态
2011-03-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101059688151
IPC(主分类) : H01F 10/20
专利号 : ZL2006100130547
申请日 : 20060116
授权公告日 : 20080709
终止日期 : 20100219
号牌文件序号 : 101059688151
IPC(主分类) : H01F 10/20
专利号 : ZL2006100130547
申请日 : 20060116
授权公告日 : 20080709
终止日期 : 20100219
2008-07-09 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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