存储芯片物理销毁电路

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本实用新型公开了一种存储芯片物理销毁电路，包括单片机U1、销毁电源和分压电路；销毁电源连接于分压电路的两端，单片机U1的中断引脚与分压电路的分压输出端连接；分压电路的分压比例大于5/U₀且小于2/U₀，其中，U₀为销毁电源的销毁电压数值。本实用新型在进行高压物理销毁时，能调节销毁电压的输出时间，达到销毁完全且节省电能的目的，以高效且彻底的销毁存储芯片。

基本信息

专利标题：

存储芯片物理销毁电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021384768.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-14

授权号：

CN212782726U

授权日：

2021-03-23

发明人：

吴礼优李振华

申请人：

深圳佰维存储科技股份有限公司

申请人地址：

广东省深圳市南山区桃源街道同富裕工业城4号厂房1楼、2楼、4楼、6楼

代理机构：

深圳市博锐专利事务所

代理人：

郑昱

优先权：

CN202021384768.0

主分类号：

G11C16/30

IPC分类号：

G11C16/30 G11C16/14

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C16/00

可擦除可编程序只读存储器

G11C16/02

电可编程序的

G11C16/04

使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS

G11C16/30

供电电路

法律状态

2022-05-13 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : G11C 16/30
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳佰维存储科技股份有限公司
变更后 : 深圳佰维存储科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518000 广东省深圳市南山区桃源街道同富裕工业城4号厂房1楼、2楼、4楼、6楼
变更后 : 518000 广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙大道1213号众冠红花岭工业南区2区4、8栋1层-3层及4栋4层

2021-03-23 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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