一种YAG晶片式白光发光二极管及其封装方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本发明公开了一种YAG晶片式白光发光二极管及其封装方法。其利用YAG单晶片将GaN基无机半导体LED晶粒发出的部分蓝光转换为另外一种或多种理想波段的光,然后LED晶粒发出的剩余未被转换的蓝光与单晶片转换后的理想波段的光混合产生白光。该技术通过精确控制单晶片荧光体各种参数,来调节和控制荧光体单晶片转换的黄光与未被转换的蓝光之间的比例,同时利用单晶片自身具有的均匀性,获得均一、高质量白光;解决了传统白光LED器件技术很难控制荧光体粉末在硅脂类或树脂类密封胶中的分散性,而最终导致白光LED器件的白光不均匀的技术问题。此外,其可将薄单晶片切割成器件所需尺寸,利用全自动化进行封装,大大提高现有白光LED器件封装的机械化程度。

基本信息
专利标题 :
一种YAG晶片式白光发光二极管及其封装方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1815765A
申请号 :
CN200510102388.7
公开(公告)日 :
2006-08-09
申请日 :
2005-12-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
苏锵谢鸿波方福波王静钟玖平李绪锋吴昊武南平潘利兵李军政
申请人 :
中山大学;广州半导体材料研究所;佛山市国星光电科技有限公司
申请人地址 :
510275广东省广州市新港西路135号
代理机构 :
广州粤高专利代理有限公司
代理人 :
陈卫
优先权 :
CN200510102388.7
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  
法律状态
2021-06-01 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 33/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中山大学
变更后 : 中山大学
变更事项 : 地址
变更前 : 510275 广东省广州市新港西路135号
变更后 : 510275 广东省广州市新港西路135号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 广州半导体材料研究所 佛山市国星光电科技有限公司
变更后 : 广州半导体材料研究所 佛山市国星光电股份有限公司
2008-05-21 :
授权
2006-10-04 :
实质审查的生效
2006-08-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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