用于防止干涉式调制器静电放电的方法及装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明揭示一种MEMS装置，例如一干涉式调制器，其包括一能够将由所述MEMS装置中的一电导体载送的过电流分流接地的集成ESD保护元件。所述保护元件可为一个二极管，并可通过在形成所述MEMS装置的衬底上沉积复数个经掺杂的半导体层来形成。
基本信息
专利标题 ：
用于防止干涉式调制器静电放电的方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755502A
申请号 ：
CN200510105831.6
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
菲利浦·D·弗洛伊德
申请人 ：
IDC公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王允方
优先权 ：
CN200510105831.6
主分类号 ：
G02F1/21
IPC分类号 ：
G02F1/21 G02B26/00 G09G3/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/21
应用干涉作用的
法律状态
2009-05-06 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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