通过选择性移除材料制造干涉式调制器的方法

专利权的终止

摘要

本发明提供用于制造诸如干涉式调制器的MEMS装置的方法，其包括选择性地移除一材料的牺牲部分以形成一内部空腔，留下所述材料的剩余部分以形成一支柱结构。所述材料可为覆盖层，其经沉积且经选择性地改变以界定相对于所述剩余部分可被选择性地移除的牺牲部分。或者，一材料层可被侧向陷偏离一覆盖层中的开口。这些方法可用于制造未释放和释放干涉式调制器。

基本信息

专利标题：

通过选择性移除材料制造干涉式调制器的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1769993A

申请号：

CN200510105060.0

公开（公告）日：

2006-05-10

申请日：

2005-09-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

董明孝菲利浦·D·弗洛伊德布莱恩·W·阿巴克尔

申请人：

IDC公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王允方

优先权：

CN200510105060.0

主分类号：

G02F1/21

IPC分类号：

G02F1/21 G02B26/00 B81C1/00 G09G3/34

IPC结构图谱

G部——物理

G02

光学

G02F

用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器

G02F1/00

控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学

G02F1/01

对强度、相位、偏振或颜色的控制

G02F1/21

应用干涉作用的

法律状态

2012-11-28 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101355719691
IPC(主分类) : G02F 1/21
专利号 : ZL2005101050600
申请日 : 20050926
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20110926

2010-07-14 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003154553
IPC(主分类) : G02F 1/21
专利号 : ZL2005101050600
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : IDC公司
变更后权利人 : 高通MEMS科技公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20100603

2009-08-26 ：

授权

2007-11-28 ：

实质审查的生效

2006-05-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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