气相法制备的纳米二氧化硅的连续化流化床及工业应用
授权
摘要
本发明公开了气相法制备的纳米二氧化硅的连续化流化床及工业应用。所述方法采用氢气燃烧获得的高温混合气体为流化气体，在流化床反应器中对生产过程中的纳米SiO2进行连续化脱酸，使脱酸后的纳米SiO2的pH在3.7～4.2，水含量小于2％。本发明通过流化床中隔板的设计及相应的操作方法，防止了连续化脱酸过程中HCl气体及新生态SiO2的固相反混，大大的减少了脱酸所需的时间，提高了脱酸效果。
基本信息
专利标题 ：
气相法制备的纳米二氧化硅的连续化流化床及工业应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1785803A
申请号 ：
CN200510110157.0
公开（公告）日 ：
2006-06-14
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李春忠胡彦杰丛德滋
申请人 ：
华东理工大学
申请人地址 ：
200237上海市梅陇路130号
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
罗大忱
优先权 ：
CN200510110157.0
主分类号 ：
C01B33/113
IPC分类号 ：
C01B33/113 B01J8/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/113
氧化硅；其水合物
法律状态
2007-12-12 ：
授权
2006-08-09 ：
实质审查的生效
2006-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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