半导体仿真模型的建立方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明公开了一种半导体仿真模型的建立方法，其步骤包括：首先按长度与宽度的依存性建立Global区域的器件模型，即G模型；然后Bin区域与Global区域边界上的器件使用G模型作为自己的单个器件模型；之后单独提取Bin区域中不与Global区域接界的各个器件的模型；再利用各自4个角上的器件模型，各个Bin块合成自己的块模型；最后将G模型及若干个Bin模型整合成一个整体的模型。本发明同时具有了全局模型与分块模型的优点，同时克服它们的缺点，因此在简化模型提取过程的基础上得到较高的模型精度，改善了模型的维护性能，从而提高了集成电路设计的效率与准确性，缩小了产品设计周期，并且降低了成本。

基本信息

专利标题：

半导体仿真模型的建立方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979498A

申请号：

CN200510111298.4

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

邹小卫钱文生

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510111298.4

主分类号：

G06F17/50

IPC分类号：

G06F17/50