半导体模型及其模型建立方法

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摘要

公开了一种半导体模型及其模型建立方法，该半导体模型包括：场效应晶体管模型，包括场效应晶体管的栅极、源极、漏极和体电极四个连接端；第一二极管模型，包括第一二极管，连接在场效应晶体管模型的体电极和漏极之间；第二二极管模型，包括第二二极管，连接在场效应晶体管模型的体电极和源极之间，第一二极管模型和第二二极管模型通过击穿电压参数和温度参数来表征场效应晶体管的漏电特性和电容电压特性。该半导体模型及其模型建立方法通过在场效应晶体管外部构建第一二极管模型和第二二极管模型，并通过击穿电压参数和温度参数来表征场效应晶体管的漏电特性和电容电压特性，使得模型能更好地反映器件特性，解决收敛性问题并保证仿真准确性。

基本信息

专利标题：

半导体模型及其模型建立方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113128155A

申请号：

CN202110429245.6

公开（公告）日：

2021-07-16

申请日：

2021-04-21

授权号：

CN113128155B

授权日：

2022-05-17

发明人：

傅飞朱能勇

申请人：

南京华大九天科技有限公司

申请人地址：

江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2305室

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司

代理人：

蔡纯

优先权：

CN202110429245.6

主分类号：

G06F30/367

IPC分类号：

G06F30/367