提高可靠性和成品率的消除铜位错的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
依照本发明的实施例提供了形成避免由铜迁移引起缺陷的金属互连结构的方法。依照具体实施例，在化学机械抛光和随后覆盖的阻挡层形成之前，电镀的铜部件经受了短暂的退火。这种退火意图引起铜的迁移并导致凸起或空洞的形成，然后通过CMP步骤去除凸起和空洞。因此，阻挡层可以随后形成在无缺陷表面之上，作为热处理的结果，该无缺陷表面已经经历了沿着晶界的应力释放。
基本信息
专利标题 ：
提高可靠性和成品率的消除铜位错的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983550A
申请号 ：
CN200510111640.0
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑文跃毛刚崔剑飞
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈红
优先权 ：
CN200510111640.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2009-07-29 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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