在硅半导体表面制备有机分子线的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明属分子电子器件制备技术领域，具体为一种将有机分子嫁接到硅半导体表面以实现在硅半导体表面制备有机分子线的方法。本发明利用紫外光、等离子体手段对硅半导体表面进行处理，使硅表面产生可供进一步反应的活性点，这些活性点与有机分子上含有的活性官能团进行反应，在硅表面形成牢固的化学键，从而在硅半导体表面制备有机分子线。该方法可以适用于以硅半导体材料为基础的分子电子器件的制备。
基本信息
专利标题 ：
在硅半导体表面制备有机分子线的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1810810A
申请号 ：
CN200510111834.0
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
戴郁菁韦玮黄维
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
200433上海市邯郸路220号
代理机构 ：
上海正旦专利代理有限公司
代理人 ：
陆飞
优先权 ：
CN200510111834.0
主分类号 ：
C07F7/02
IPC分类号 ：
C07F7/02 C07F7/08 H01L51/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F7/00
含周期表第4或14族元素的化合物
C07F7/02
硅化合物
法律状态
2008-04-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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