具有动态不对称单元的SRAM

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种具有动态不对称单元的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)阵列，包括SRAM的集成电路(IC)芯片以及在SRAM中访问数据的方法。单元的每一列被连接到提供电源到列的一对列供电线。在每个SRAM访问过程中，更高的电压被施加到将被访问的每对列中的一个列供电线，以使将被访问的列中的单元失去平衡。在访问过程中不平衡的单元变得不对称，以及供电不平衡促使数据状态被写入/读取。

基本信息

专利标题：

具有动态不对称单元的SRAM

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1790547A

申请号：

CN200510114975.8

公开（公告）日：

2006-06-21

申请日：

2005-11-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

R·V·乔西

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200510114975.8

主分类号：

G11C11/413

IPC分类号：

G11C11/413 G11C11/419 G11C7/00

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C11/08

应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板

G11C11/21

应用电元件的

G11C11/34

应用半导体器件的

G11C11/40

应用晶体管的

G11C11/41

用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器

G11C11/413

辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的

法律状态

2017-11-17 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : G11C 11/413
登记生效日 : 20171030
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-11-17 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : G11C 11/413
登记生效日 : 20171030
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2011-04-06 ：

授权

2006-08-16 ：

实质审查的生效

2006-06-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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