用于保护电子器件免受静电放电的损坏的装置和方法
授权
摘要
一种用于保护例如MR磁头的电子器件免受ESD/EOS的损坏的保护装置,包括:电缆,其具有耦合到所述电子器件的引线、以及提供对该引线的接触的第一端口。具有到所述电缆的每根引线的一一对应电连接的第二端口,提供了到全部所述引线的第二电接触。短路装置被耦合到所述两端口之一,从而在所述电缆引线和延伸部分引线之间形成短路。另一端口可以用于耦合到外部装置,例如测试器或最终装置,同时所述短路装置提供ESD/EOS保护。
基本信息
专利标题 :
用于保护电子器件免受静电放电的损坏的装置和方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1822099A
申请号 :
CN200510115616.4
公开(公告)日 :
2006-08-23
申请日 :
2005-11-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
I·E·T·伊本
申请人 :
国际商业机器公司
申请人地址 :
美国纽约
代理机构 :
北京市中咨律师事务所
代理人 :
于静
优先权 :
CN200510115616.4
主分类号 :
G11B5/40
IPC分类号 :
G11B5/40 G11B33/14 H05F3/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的;用磁性方法进行重现的;为此所用的记录载体
G11B5/40
磁头的保护措施,例如,防御过高温度的
法律状态
2009-08-05 :
授权
2006-10-18 :
实质审查的生效
2006-08-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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