采用PECVD由氨基硅烷制备氮化硅
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种用于由氮、氩、氙、氦或氨和氨基硅烷，优选化学式：(t－C4H9NH)2SiH2等离子体增强化学气相沉积氮化硅膜的工艺，该工艺为所得的用于半导体工业的膜提供了改善的特性，特别是抗蚀刻性和低氢浓度，以及应力控制。
基本信息
专利标题 ：
采用PECVD由氨基硅烷制备氮化硅
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1940132A
申请号 ：
CN200510116578.4
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·K·霍奇伯格K·S·库希尔
申请人 ：
气体产品与化学公司
申请人地址 ：
美国宾夕法尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
范赤
优先权 ：
CN200510116578.4
主分类号 ：
C23C16/513
IPC分类号 ：
C23C16/513 C23C16/52 H01L21/31
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/513
采用等离子流
法律状态
2009-10-07 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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