半穿半反液晶显示器制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

一种半穿半反液晶显示器制造方法,该半穿半反液晶显示器包括一基板,该基板包括一反射区与一穿透区,该制造方法包括:在该基板表面依次形成一透明电极层、一缓冲层、一反射金属层和一光阻层;提供一光罩,该光罩包括一第一区域与一第二区域,第一区域的透光率大于第二区域的透光率,第一区域对应穿透区,第二区域对应反射区;利用该光罩对该光阻层曝光,并对曝光后的光阻层显影,使得该光阻层在反射区内的厚度大于该光阻层在穿透区内的厚度;灰化该光阻层,以去除穿透区的光阻,反射区则剩余部分光阻;蚀刻穿透区的缓冲层与反射金属层,暴露出穿透区的透明电极层,即为穿透电极;去除反射区的剩余光阻,暴露出反射区的反射金属层,即为反射电极。

基本信息
专利标题 :
半穿半反液晶显示器制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1987654A
申请号 :
CN200510121257.3
公开(公告)日 :
2007-06-27
申请日 :
2005-12-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
颜子旻赖建廷
申请人 :
群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
申请人地址 :
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200510121257.3
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  G03F1/00  H01L21/027  G03F7/26  G02F1/133  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-06-17 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-22 :
实质审查的生效
2007-06-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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