一种纳米线宽样板及其制备方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种纳米线宽样板及其制备方法。它是采用等离子体增强化学气相沉积工艺和射频磁控溅射工艺在硅片(19)上交替沉积多层氮化硅薄膜(20)、(22)、(24)、(26)和铬薄膜(21)、(23)、(25)，其中铬薄膜(21)、(23)、(25)的厚度等于所需要的纳米线宽样板的线宽；对沉积有多层薄膜的硅片(11)进行划片，然后采用左夹持块(13)和右夹持块(15)夹持沉积有多层薄膜的硅片(11)，将多层膜硅片(11)的截面(10)作为纳米线宽样板的表面；接着，在左右夹持块(1)、(15)所形成的凹槽(17)内注入环氧树脂(14)并固化；最后，依次用金相砂纸、氧化铝悬浊液打磨、抛光沉多层膜硅片(11)的截面(10)，最后形成纳米线宽样板的表面。

基本信息

专利标题：

一种纳米线宽样板及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1786655A

申请号：

CN200510124593.3

公开（公告）日：

2006-06-14

申请日：

2005-12-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

蒋庄德朱明智景蔚萱张卉赵凤霞

申请人：

西安交通大学

申请人地址：

710049陕西省西安市咸宁路28号

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司

代理人：

刘国智

优先权：

CN200510124593.3

主分类号：

G01B3/00

IPC分类号：

G01B3/00